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    1.  

      又一“國字號”基地項目開工,國家第三代半導體技術創新中心研發與產業化基地

      2022-01-07

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      1月4日,由啟迪設計集團規劃設計的國家第三代半導體技術創新中心研發與產業化基地開工建設??偨ㄖ娣e超20萬平方米,總投資超18億元,帶動投資預計超50億元,計劃于2023年12月底竣工。


      01  項目概括 


      國家第三代半導體技術創新中心研發與產業化基地位于蘇州納米城東北角,毗鄰金雞湖大道和廣賢街,用地面積86283.59 平方米,總建筑面積231422.57平方米,其中已建設建筑面積為89196.54平方米,本次新建建筑面積117226.03平方米,遠期規劃建筑面積25000平方米。


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      蘇州納米城位于江蘇省蘇州市市區東部工業園區內,屬于長江三角洲經濟區中心地帶,是國家級經濟技術開發區。蘇州納米科技城是全球最大的納米技術應用產業綜合社區,與蘇州納米技術國家大學科技園等形成了園區納米技術產業的聚集區。納米城總體規劃由中心兩塊產業核心區向四周發散均勻擴展,地塊最外邊緣的體塊將整個用地圍合,形成一個類城市的空間結構,設計邏輯清晰,功能分區明確,道路系統完善。


      02  產業定位 


      蘇州正在搶抓第三代等先進半導體產業的發展機遇,啟迪設計始終聚焦國家重點發展產業,積極參與第三代等先進半導體相關領域前沿科技項目。項目策劃定位為第三代等先進半導體產業標準化廠房及配套設施建設工程,擬修建第三代化合物半導體、 封裝廠房、 傳統封裝或倉庫等及配套的動力廠房、 化學品庫、 廢水處理站(地下)及相關配套設施。


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      03  規劃設計 


      國家第三代半導體技術創新中心研發與產業化基地地塊條件較為特殊,與市政道路無交接界面,需要借用已建地塊出入口與城市道路連通。且地塊產業定位為第三代半導體設計和生產,這一類產業對防微震和潔凈要求非常高,而地塊東側距離140 米處擬建設城際高鐵線路,存在一定的不利因素;另一方面,半導體產業需要設置大量輔助用房,其中還包括危險品庫房和氫氣站等甲類庫房,與普通廠房之間需要留足間距,以保障安全性。


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      規劃設計以梳理不利因素為出發點,將必須要設置于地上的動力站、?;穾?、大宗氣站等輔助區規并整合,統一設置于地塊東側,并以道路間隔,盡可能減少高鐵線路對生產廠房的震動影響;并且可以盡可能地保證廠房區范圍更大更方整,同時與廠區之間的道路間隔實現了輔助區的單獨管理。


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      04  建筑設計 


      半導體生產要求較高空間,同時為了適應不同的生產需求,建筑內考慮不同層高的布置,1-2層為8.4米層高,主要適應第三代半導體生產,3-5層為7.6米層高,主要適應一些封裝測試等項目,5層為6米,主要適應傳統封裝和倉庫。每棟廠房內部中心為潔凈區,四周設置客、貨電梯疏散樓梯衛生間配套設備機房等等輔助區,潔凈區四周設置走道,便于劃分出租。建筑外立面采用白色涂料墻面、灰色線條、玻璃門窗和灰色金屬網四種元素進行構成式設計,與納米城其他建筑風格統一。


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      國家第三代半導體技術創新中心研發與產業化基地是園區推動“一區兩中心”建設的重大布局,建成后將加速推動第三代半導體材料、設備,以及研發、設計、生產、量產、封裝測試等創新鏈企業集聚發展,輻射集聚50到100家企業,有力支撐第三代半導體技術關鍵技術攻關和科技成果轉化。

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